Samsung сократила энергопотребление NAND на 96% — и это может изменить всё: от смартфонов до ИИ-дата-центров

Samsung совершила прорыв: с помощью ферроэлектрических транзисторов (FeFET) разработана новая архитектура NAND-памяти, потребляющая на 96 % меньше энергии, чем современные аналоги. Ключевое открытие — превращение недостатка в преимущество: ранее считавшийся помехой высокий пороговый потенциал оксидных полупроводников теперь используется для блокировки паразитных токов в ячейках даже после выключения. Это решает фундаментальную проблему 3D NAND: с ростом слоёв (200+ и выше) резко возрастает утечка тока и энергозатраты на чтение/запись — особенно критично для ИИ-устройств и флагманских смартфонов, где локальные LLM требуют быстрой, но холодной памяти. Результаты подтверждены публикацией в Nature (34 автора), но сроки коммерциализации пока не названы.

Пока рынок ждёт UFS 5.0 (2026), эта технология может лечь в основу UFS 6.0 и будущих SSD-накопителей. Для пользователей — потенциал многократного роста автономности, для дата-центров — радикальное снижение OPEX и тепловыделения. Samsung, традиционно лидирующая в NAND, делает ставку не на ёмкость, а на эффективность — осознавая, что в эпоху ИИ энергия дороже гигабайта.