Samsung совершила прорыв: с помощью ферроэлектрических транзисторов (FeFET) разработана новая архитектура NAND-памяти, потребляющая на 96 % меньше энергии, чем современные аналоги. Ключевое открытие — превращение недостатка в преимущество: ранее считавшийся помехой высокий пороговый потенциал оксидных полупроводников теперь используется для блокировки паразитных токов в ячейках даже после выключения. Это решает фундаментальную проблему 3D NAND: с ростом слоёв (200+ и выше) резко возрастает утечк...