Прощай, HBM? Intel показала прототип чудо-памяти ZAM

На выставке Intel Connection Japan 2026 компания Intel и дочерняя компания SoftBank, фирма Saimemory, впервые представили живой прототип памяти ZAM. Технология Z-Angle Memory использует уникальную диагональную архитектуру соединений внутри стека, которая радикально улучшает теплоотвод и позволяет нарастить емкость одного чипа до внушительных 512 ГБ.

Новинка обещает снизить энергопотребление на 40–50% по сравнению с актуальными решениями HBM, что критически важно для перегретых дата-центров ИИ. Intel берет на себя роль технологического стратега, планируя начать выпуск рабочих прототипов к 2028 году.